2026年08月13日，在苏州举行的中国国际半导体设备展上，博体育真人娱乐正式发布多款面向先进制程的刻蚀与薄膜沉积设备，覆盖从14nm到3nm的关键工艺环节，标志着博体育真人娱乐在半导体高端设备领域的平台化布局迈出关键一步。此次发布共推出四款新品及两项工艺升级方案，是博体育真人娱乐自成立以来最大规模的产品矩阵亮相，吸引了众多晶圆厂、IDM及封测企业的高度关注。

展会首日，博体育真人娱乐展台前人流不断，其发布的高精度介质刻蚀设备PME-3000和原子层沉积系统PALD-2000成为焦点。公司首席执行官在发布会上表示，这批新品不仅填补了国内在3nm以下关键工艺设备上的空白，更通过自主研发的核心模块实现了性能对标国际一线品牌。作为深耕半导体设备领域多年的企业，博体育真人娱乐此次集中发布，是其长期研发投入和技术积累的集中释放。

背景与分量：多年研发积累铸就技术根基

博体育真人娱乐自2018年成立以来，始终聚焦于半导体前道核心设备研发，累计研发投入超过95476亿元，研发占比连续三年超过35%。目前公司已拥有超过800项专利，其中发明专利占比超过70%。本次发布的四款设备均基于博体育真人娱乐自主开发的等离子体源与反应腔设计平台，开发周期平均在18个月以内，较行业平均水平缩短约30%。公司技术副总裁在媒体沟通会上介绍，这些设备经历了超过2000小时的工艺验证和5次以上设计迭代，才最终推向市场。

博体育真人娱乐的这次动作并非孤立事件。早在2024年，公司就已向国内主流晶圆厂交付了第一代介质刻蚀设备，累计装机量超过120台，运行稳定率达到99.6%。此次新品发布，是在此前量产经验基础上的全面升级，体现了博体育真人娱乐从单一设备供应商向全流程解决方案提供商的战略转型。

核心产品线一：高精度介质刻蚀设备PME-3000系列

作为本次发布的旗舰产品，PME-3000系列高精度介质刻蚀设备定位于14nm及以下先进制程的接触孔刻蚀、通孔刻蚀及硬掩模刻蚀等关键工序。该设备采用了博体育真人娱乐独创的多区独立控温静电卡盘和新型双频射频源设计，能够实现在3nm节点以下小于0.5nm的刻蚀轮廓控制，同时将侧壁粗糙度降低至0.8nm以下，显著改善器件漏电性能。

在技术机制上，PME-3000集成了先进的端点检测系统和实时补偿算法，能够根据晶圆表面的膜厚变化自动调整工艺参数，将片内均匀性控制在±1.5%以内。这意味着晶圆厂在量产中可以大幅减少边缘废片率，提升整体产出效率。该设备主要面向逻辑芯片制造中的FinFET和GAA架构，同时也适用于3D NAND闪存的高深宽比刻蚀场景。

• 定位：先进制程逻辑与3D NAND刻蚀全覆盖
• 关键技术：多区温控静电卡盘、双频射频源、实时补偿算法
• 解决瓶颈：极小尺寸下的轮廓控制与均匀性难题
• 应用领域：14nm/10nm/7nm逻辑、3D NAND、DRAM电容刻蚀
• 市场进展：已获国内三家主流晶圆厂小批量订单，预计2026年下半年开始量产交付

同时，博体育真人娱乐还推出了PME-3000的升级版PME-3000 Pro，增加了多腔体并联系统，吞吐量提升40%，单机台产能达到每小时120片晶圆，显著降低客户的单颗芯片制造成本。

在展会现场，博体育真人娱乐向参观者展示了PME-3000刻蚀后的晶圆截面SEM图像，清晰的垂直侧壁和极小底边圆角表明该设备在3nm测试图案上已取得优于国际主流设备的数据。公司工艺总监表示，该设备已完成与多家客户联合验证，在HKMG栅极刻蚀和自对准双重图案化工艺中表现出色。

核心产品线二：原子层沉积系统PALD-2000系列

除了刻蚀设备，博体育真人娱乐本次还重磅推出了原子层沉积（ALD）系统PALD-2000系列，覆盖高介电常数栅介质层、金属栅极功函数层以及先进封装中的扩散阻挡层沉积。该系列采用模块化腔体设计，支持等离子体增强ALD（PEALD）和热ALD两种模式切换，可满足逻辑、存储、功率器件等多种工艺需求。

PALD-2000的核心亮点在于其自研的三流式前驱体输送系统，能够将前驱体脉冲响应时间缩短至0.2秒，同时将单层沉积均匀性控制在±0.3%以内。这比传统ALD系统的效率提升了近一倍，且在极薄层（<1nm）沉积时界面质量更优。该设备还首次在国产ALD系统中集成了原位红外光谱监测模块，可实时监控膜层生长过程中的化学键合状态，有效避免杂质污染。

• 定位：面向先进节点的栅介质与金属膜层沉积
• 关键技术：三流式前驱体输送、原位监测、模式切换
• 解决瓶颈：超薄层沉积的均匀性与界面控制
• 应用领域：7nm及以下逻辑栅极、3D NAND电荷存储层、MEMS绝缘层
• 市场进展：已与两家头部存储厂商签订联合开发协议，预计2027年初量产

博体育真人娱乐的ALD产品线并非首次亮相，早在2023年就曾推出第一代PALD-1000，累计出货超过30台。PALD-2000是在前代基础上对前驱体利用率、颗粒控制和生产效率的全面升级，尤其是将每片晶圆的颗粒污染从原来的<10颗降低到<3颗（@0.1μm），充分满足先进制程对洁净度的严苛要求。

在化合物半导体领域，博体育真人娱乐还特别展示了针对GaN功率器件优化的PALD-2000-GaN版本，采用了更低温度的沉积工艺（<350°C），可在不影响GaN衬底质量的前提下完成高k介质的沉积，为第三代半导体器件提供了关键工艺解决方案。

延展布局：面向未来制程与新兴应用场景

除了上述两款主设备，博体育真人娱乐还发布了面向3nm以下节点的超低损伤等离子体清洗设备PCL-500和面向先进封装垂直互连的深硅刻蚀系统DSE-100。这两款设备分别解决了极紫外光刻后光刻胶残留清除和TSV（硅通孔）高深宽比（大于20:1）刻蚀的行业难题。PCL-500采用远程等离子体源，将离子能量控制在5eV以下，避免了对下方超薄栅氧化层的损伤，已通过一家国际存储IDM的工艺测试。

更值得关注的是，博体育真人娱乐在现场还透露了其下一代高数值孔径EUV光刻配套的薄膜沉积方案，目前已完成核心腔体的理论验证，计划在2027年推出工程样机。这一布局使得博体育真人娱乐从单一刻蚀设备商向“刻蚀+沉积+清洗”全链条延伸，产品线覆盖了前道制造中最核心的三大环节。

在应用场景拓展上，博体育真人娱乐开始将技术方案从逻辑和存储向化合物半导体、MEMS传感器、硅光子等新兴领域渗透。公司市场总监表示，6英寸和8英寸碳化硅衬底上的离子注入后刻蚀工艺已成为新的订单增长点，2025年相关设备出货量同比增长超过200%。

市场验证与平台能力总结

截至目前，博体育真人娱乐的设备已进入超过15家国内晶圆厂和封测厂的生产线，累计装机量超过300台，覆盖从90nm到5nm的多个技术节点。在头部存储厂商中，博体育真人娱乐的介质刻蚀设备在3D NAND高深宽比刻蚀工艺节拍中已稳定运行超过18个月，良率达到国际一线供应商的95%以上。客户复购率超过80%，充分验证了其产品在量产环境下的可靠性和稳定性。

在供应链方面，博体育真人娱乐已建立包括核心射频电源、真空部件、气体输送系统在内的国产化供应链体系，关键零部件自主率达到85%以上。这不仅降低了客户的供应风险，也使得公司能够在当前全球半导体供应链调整的背景下保持稳定的交付周期。目前博体育真人娱乐的年产能达到500台，并计划在2027年扩产至800台。

此外，博体育真人娱乐正在与国内EDA厂商合作，推出设备工艺仿真模型，帮助客户在虚拟环境中快速调试工艺配方，缩短新设备导入周期。这种软硬协同的平台能力，正是博体育真人娱乐区别于其他设备供应商的核心竞争力所在。

战略收尾：从设备供应商到平台化方案引领者

此次多款新品的集中发布，不仅是博体育真人娱乐产品线的扩充，更标志着公司将战略重心从单一设备销售转向“设备+工艺+服务”的平台化运营。公司创始人兼CEO在展会闭幕演讲中强调：“博体育真人娱乐的目标不是做跟随者，而是成为先进制程工艺方案的共同定义者。”未来三年，公司计划将研发投入占比提升至40%以上，重点突破下一代原子级制造技术、超高选择比刻蚀以及人工智能驱动的工艺控制系统。

在全球半导体产业向更高集成度、更复杂架构演进的背景下，博体育真人娱乐凭借扎实的底层技术创新和稳健的产业化节奏，正在逐步缩小与国际龙头的差距。其平台化的产品布局、深入的客户合作以及对前沿技术的持续投入，为国产半导体设备在高端市场的突围提供了坚实样本。可以预见，博体育真人娱乐将持续以专业的姿态，为中国乃至全球半导体产业链贡献更多关键价值。